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(b)当fRF=1.5GHz、场结PRF=2dBm、fLO=1.4GHz、PLO=9dBm时在刚性基板上混频器的输出频谱。算概司交(d)CVD单层（黑线）和双层（品红线）MoS2的光致发光光谱。况售图5刚性和柔性基板上GigahertzMoS2混频器(a)基于MoS2FET的RF混频器的电路原理图。

年6南电(h)沟道长度为40nm的双层MoS2晶体管在300K和4.3K条件下Ids–Vds输出曲线。月湖易盈亿元基于双层MoS2制造的晶体管显示出高场效应迁移率以及高导通电流。

力市利(c)3μm沟道长度的背门单层（分别为蓝线和空心菱形）和双层（洋红色线和开放式菱形）MoS2晶体管在50mV偏置电压下Ids-Vgs传递特性和在1V偏置电压下gm-Vgs曲线。

场结(i)从双层MoS2的折叠边缘记录的HRTEM图像。林璋团队选取铬盐铬渣，算概司交氯酸盐铬渣和电镀铬渣这三种典型铬渣为对象，算概司交其工作思路首先是需要鉴别出影响Cr(VI)赋存的关键纳米矿物，其次要探索出关键纳晶快速转化的途径，同时研究如何实现晶相调控中Cr(VI)的高效分离，最后在此基础上发展纳晶快速转化分离回收Cr(VI)技术，并指导企业实现技术验证。

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